CQM1-TC101三极管NPN与PNP的电路符号与外形如图5-1所示。一般硅管多为NPN型,锗管多为PNP型。

三极管的结构特点是基区特别薄，发射区掺杂浓度特别高，集电结面积特别大。贴片三极管有三个或四个电极。一般三个电极的贴片三极管从顶端往下看有两边，上边只有一脚的为集电极，下边的两脚分别是基极和发射极。在四个电极的贴片三极管中，比较大的一个引脚是三极管的集电极，另有两个引脚相通是发射极，余下的一个是基极。

特性曲线是指三极管各电极之间的电压与电流之间的关系曲线,包括输人特性曲线与输出特性曲线两种。

输人特性曲线:集射极之间的电压UcE一定时,发射结电压U:E与基极电流I:之间的关系曲线如图5-2所示。

输出特性曲线:基极电流一定时,集、射极之间的电压与集电极电流的关系曲线,如图5-3所示。

放大区 在放大区有Ic=″:,也称为线性区,具有恒流特性。在放大区,发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置,三极管工作于放大状态。对于NPN管放大作用的条件是UcB>0,U:E>0或Uc)U:>UE。对于PNP放大作用的条件是Uc:(0,U:E<0或Uc(U:<UE。rc平行于UcE轴的区域,曲线基本平行等距。

截止区 I:(0以下区域为截止区,有rc≈o。在截止区发射结处于反向偏置,集电结处于反向偏置,晶体管工作于截止状态。三极管相当于工作于断开状态,此时三极管基射电压Lr:E小于死区电压。rc接近零的区域,相当r:=o的曲线下方。

饱和区 当⒒E≤U:E时,晶体管工作于饱和状态。在饱和区IB:≥rc,发射结处于正向偏置,集电结也处于正偏。深度饱和时,硅管UcFs≈0,3V,锗管UcEs≈0.1V。UcE很小,=极管相当于工作于短接状态,一般UcE≤U:E,此时三极管的压降称为饱和压降。