半导体材料

   半导体材料按组成可分为元素半导体和化合物半导体。 K4B1G1646E-HCH9其中半导体材料应用较为广泛的包括元素半导体硅、锗、Ⅲ-V族化合物半导体(砷化镓、磷化铟、氮化镓)以及Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体(碳化硅)。其中硅、砷化镓、磷化铟、碳化硅是电子元器件应用最多的半导体材料。

   碳化硅材料的测试

   碳化硅作为第三代半导体材料,具有禁带宽度大、导热率高、电子饱和速度高、击穿电压高、介电常数低等特点,是制造高频、大功率、高温、抗辐照电子元器件及电路的重要基础材料。半导体碳化硅材料测试的主要参数包括晶型、晶向、导电类型、电阻率、迁移率、

载流子浓度、直径与晶片厚度及厚度变化等。

   砷化镓材料的测试

   砷化镓材料是目前Ⅲ-V族化合物半导体材料中较为成熟的材料,电子迁移率高,是微电子和光电子技术最为重要的功能材料,主要品种有电阻单晶、半绝缘单晶及各种同质、异质与多组分外延材料等。半导体砷化镓材料测试的主要参数有电阻率及电阻率均匀性、霍尔迁移率及迁移率均匀性测试、热稳定性等。