标硅的技术内容

   集成电路测试方法标准的结构基本包括目的、测试原理图、测试条件、测试程序等几部分,目前我国的集成电路测试方法标准主要按产品门类进行分类,规定了相应的测试方法基本原理,基本覆盖了产品的主要参数, EMP3128ATC100-10N但仍然存在部分参数覆盖不全的情况,特别是对一些非主要参数而言,标准从技术内容规定了测试过程的基本原理和方法,但在按照相关标准执行测试任务时,仍然存在一些需要进一步细化的内容,例如“最坏条件”这一技术要求,标准中一般规定产品测试过程中的电源电压和测试激励一般需要按最坏条件施加,但对各种不同门类的产品或者每种产品的各种参数而言,其电源电压和测试激励的最坏条件依产品的结构特点和具体测试的参数而不尽相同。

   复杂电路测试标硅

   随着电路规模的不断增大,特别是超大规模集成电路(VLsI)、系统级芯片(soC)的出现,集成电路的功能日益强大,其内部结构复杂度也不断提高,同时也对集成电路的测试手段和测试能力提出了更高的挑战。基于IP核的SoC设计复用技术,大大提高了复杂的电子系统的设计效率,测试也须采用类似的复用技术,soC中核的测试复用是一个分工协作的问题,由于核提供者无从知晓核最终应用的场合、集成核的工具和方法,这就使得核的测试成为一个难题。针对soC测试技术的困难,国际上成立了相关的标准化组织,如VSIA等,同时IEEE也发布了一些针对soC核测试的相关标准,从而大大促进了VLsI和SoC的测试验证。