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   具体击穿过程一般认为是一个热、电过程。隧穿电流与阴极场强有关。这涉及Si-Si02（或Al- Si0：）界面不可能绝对平整，微观上可能存在一些突起，使局部电场增强，也可能氧化层中某处存在一些杂质或缺陷，使界面势垒高度降低，这都使该薄弱处首先产生隧道电子流。在外场作用下，电流呈丝状形式漂移穿过Si0：膜，这种丝状电流直径仅数纳米，电流密度很大，而Si0。

    质量良好的栅氧化层，在未加应力前的I-V测试中，在产生F-N隧穿电流前，其电 流值很低，按面积归一化后J一10-12 Alcm2。在施加电应力后，F-N隧穿前的电流增加， 经过多种测试分析，认为是由于氧化层中产生了中性陷阱所致。

    氧化层中产生带间碰撞电离所需能量约为氧化层禁带宽度的1.5倍，氧化层禁带宽 度约为9eV，所以电子需要能量约为13. 5eV，当栅氧厚度降至22nm以下时，电离碰撞产 生电子一空穴对已不大可能。

大的焦耳热使温度升高，温升又促进F-N电流增加，这样相互促进的正反馈作用，最终形成局部高温，如不能及时控制电流的增长，可使铝膜、Si02膜和硅熔融，发生烧毁性击穿。

   当前，对栅氧击穿主要是由负电荷的电子或正电荷的空穴起主要作用的问题，尚无明确结论，文献报道中说明是正电荷空穴积累得很多。但也不能否定电子的作用，所以可能AXox是由于存在缺陷而使栅氧减薄的量，是等效栅氧厚度，ro为一常数。这样栅氧击穷时间的统计分布就可并入AXox的统计分布中，而局部减

薄处的面积并不重要。当某个局部处发生短路，整个栅氧就发生失效。根据这一思路，就可编制程序对栅氧可靠性加以模拟，这就是RERT（美国加州伯克利大学可靠性模拟工具）中CORS(电路氧化层可靠性模拟器)的数学基础。

   20世纪90年代以来，一些研究者对栅氧击穿的物理过程及统计方法提出了一种新的看法，还没有正式名称，这里称为薄栅氧化层与高电场有关的物理／统计模型。