LAN8700IC-AEZG

   实际上MOS器件的退化是不均匀的，N沟道MOS管的退化主要发生在漏极附近的高电场区，对非均匀氯化层电荷和界面陷阱分布的沟道，阈值电压的物理意义已经不够确切。而且当器件工作在低栅压区(VG。《V DS/2)及接近VDS时，阈值电压的漂移非常小，这是由于氧化层中俘获电荷屏蔽了界面陷阱效应的缘故。如果将AICP达到一定数量（如lpA]弘m沟道宽）所需应力时间作为寿命r的定义，则可得到与上述Tld～I。b/ld之间的类似关系。但用于热载流子退化的寿命预计尚有一些问题，有待进一步研究。

  其次，为防止外界水分、杂质等的侵入，芯片外一般加有保护的钝化膜。钝化层原来 采用磷硅玻璃，后来采用等离子体氮化硅膜。这种膜中含有氢，氢的原子半径很小，极易 扩散进入栅下Si-Si0。界面处，取代氧与硅形成Si-H、Si-OH键，热载流子的注入使 Si-H、Si-OH键破坏，在氧化层中形成Q，。或Q。。，从而使热载流子效应严重。针对这一 问题，可用化学气相沉积的氮化硅膜保护栅极区来防止氢原子扩散进入。

     首先，考虑温度的问题，大多数可靠性试验证明，环境温度越高，器件退化越严重。而热载流子的情况则相反，温度越低，热载流子效应越明显。研究显示在-40℃时比室温下退化更为严重。热载流子在低温下的加速可这样来解释：低温下，Si原子的振动变弱，衬底中运动的电子与硅原子间的碰撞减少，电子的自由程增加，从电场中获得的能量增加，容易产生热电子，提高了注入氧化层的概率。另外也容易发生电离碰撞，产生二次电子，这些二次电子也可成为热电子，使注入氧化层中的热电子进一步增多，这就导致低温下热电子效应的加速。

    一些研究证明，工作在交流条件下器件热载流子的退化比直流条件下更严重。

   漏极附近电场强度的增加是引发沟道热载流子效应的原因，因此，要减轻漏极附近的场强，比较有效的措施是采用轻掺杂源一漏(Lightly Doped Drain-Source，LDDS)结构，使雪崩注入区向硅衬底下移，离开栅界面处。

   对深亚微米器件，还可采用P-I-N漏MOSFET结构来抑制热载流子效应，所谓P-I-N漏结构是在常规沟道区的源一漏端赴降低掺杂浓度至接近本征的lois／cn3～l016／Cm3（N沟道仍为P区），可进一步降低近漏端电场强度。

   此外，工作时限制V DS及VBS的大小，也可改善热载流子效应。