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   由p型转换为n型的氟取代有机半导体

   在分子设计上,以电负性较大的氟原子代替分子中电负性小的氢原子,可以获得电子亲和能增大即LLrMO能级降低的材料,达到与惰性源漏电极匹配的目的,可作为n型半导体材料应用于场效应晶体管器件。这些材料包括十六氟酞菁铜、氟原子取代的噻吩齐聚物卩7,9:l、全氟并五苯㈣,如图3.38所示。

   类似于并五苯,全氟并五苯也是平面型分子,在单晶堆叠上也里现出“鱼骨型”模式,如图3,39所示。二者的不同之处在于:相邻两个分子层之间并五苯分子的夹角为51.叨,小于全氟并五苯⑿1.2°),说明全氟并五苯可以更好地“站”在衬底上;另外,在同一分子层内,并五苯分子之间碳与碳的距离o,“勾大于全氟并五苯r3,”~3。乃匈,表示全氟并五苯晶体中分子排列比较紧密。呈电负性的氟基团与呈电正性的并五苯基团之间较强的静电作用,可能是全氟并五苯堆积比较紧密的原因。为真空中测量的基于全氟并五苯的场效应晶体管的电性能曲线,器件饱和区域的迁移率为0.11Gm。