D2F-01L

   有机场效应晶体管的结构

   如前所述,场效应晶体管由三个电极、一个绝缘层和一个半导体层组成。与半导体直接接触的一对电极分别称为源极(source)和漏极(drain);与绝缘层接触、并隔着绝缘层正对源极和漏极间隙的电极称为栅极佗ate)。器件工作时,加载于源极和漏极之间的恒定电压称为源漏电压(或称漏电压,‰),相应的电流称为源漏电流(或称漏电流,rD),亦称为沟道电流,因为它被限制在源极和漏极之间的导电沟道之中,其大小由沟道中的多数载流子的密度和迁移率来决定。加在栅极上的可变直流电压称为栅电压(/G),栅电压的作用是在半导体表面引入一垂直电场,使得能带在这里按多数载流子密度升高的方式弯曲,形成导电沟道。沟道的产生和消失,以及沟道中载流子密度的高低,都是由栅压来控制。

    场效应晶体管的结构不仅与材料有关,也与器件制备时所采取的薄膜制备顺序有关。根据薄膜堆叠顺序的不同,器件可以分为顶栅式(top gate,T⑶ 场效应晶体管和底栅式oottom gate,B⑶场效应晶体管(图3,1)。由于有机材料耐高温性较差,有机场效应晶体管的结构广泛采用底栅式结构,这样可以避免由于绝缘层和栅电极薄膜沉积温度较高可能导致的有机层破坏。底栅式结构又可以分为顶接触式(top∞碰aCt,To和底接触式(bo倪om∞ntact,Bo两种结构,见图3.2。