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    激子与表面相互作用

   有机半导体和电极之间的界面有两种使移动的分子激子猝灭的过程:①电荷转移,即激子中的一个电子转移到界面处的一个邻近俘获中心,因而在有机半导体中产生一个自由空穴(例如,吸附在表面处的氧分子可作为电子陷阱中心);②能量转移,即激子将自身的能量转移给邻近有机半导体表面上的受体分子。与过程①相比,这种能量转移是一个相当缓慢的过程。 在分子晶体表面上的金属可能通过两种方式影响表面分子的电子状态。

   第一,・它能改变它们的较高电子能级位置;第二,它能影响激发状态的寿命。第一个作用来自穿过界面时介电常数的不连续性,它造成分子极化能的改变。如果极化强度增加,表面分子可以作为激子陷阱。第二种作用来自因金属电极感应引起的激子非辐射跃迁。

   通常,表面处的激子猝灭区是十分狭窄的(大约⒛A)网。在电致发光情况下,激子由电子空穴复合产生,复合区约为2OO~3OO A。这种情况,激子一表面相互作用区域比复合区小很多,因而并不如其他非辐射跃迁那样重要。可是,在光电导情况下,界面处激子解离可产生自由载流子,因此,它是光生载流子产生的重要过程之一。