JANTXV2N4449UB的功能、参数
发布时间:2019/3/5 10:38:55 访问次数:3765
JANTXV2N4449UB的功能、参数、电路图、封装、引脚图、PDF资料JANTXV2N4449UB中文资料
功能介紹 中文 :
功能介紹 英文 : TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | LLCC
品牌 :
封装 :
引脚 :
规格信息
系列 军用，MIL-PRF-19500/556
FET类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）3.5A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）8.1nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
功率耗散（最大值）800mW（Ta），15W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）610 毫欧 @ 3.5A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型通孔
封装/外壳TO-205AF
JANTXV2N4449UB的功能、参数、电路图、封装、引脚图、PDF资料JANTXV2N4449UB中文资料
功能介紹 中文 :
功能介紹 英文 : TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | LLCC
品牌 :
封装 :
引脚 :
规格信息
系列 军用，MIL-PRF-19500/556
FET类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）3.5A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）8.1nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
功率耗散（最大值）800mW（Ta），15W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）610 毫欧 @ 3.5A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型通孔
封装/外壳TO-205AF
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