场效应管型号命名方法

  场效应管型号命名现行有两种方法:

   第一种方法与三极管相同。MC56F8255VLD第一位“3”表示电极数;第二位字母代表材料,“D”是P型硅N沟道,“C”是N型硅P沟道;第三位字母“J”代表结型场效应管,“0”代表绝缘栅场效应管。例如3D⒗D是结型N沟道场效应三极管,3Do6C是绝缘栅型N沟道场效应二极管。

   第二种命名方法是CS××#,CS代表场效应管,××以数字代表型号的序号,#用字母代表同一型号中的不同规格。例如Cs14A、C“5G等。

   绝缘栅型场效应管(MOS管)

   绝缘栅型场效应管(MOsFET)简称MOs管,绝缘栅型场效应管分为耗尽型和增强型,每种类型又分为P沟道和N沟道。

   增强型M○s管

   1.外形与符号

   增强型MOs管分为N沟道MOs管和P沟道MOs管,增强型MOs管外形与符号如图1l△8所示。

   2.结构与原理

   增强型MOS管有N沟道和P沟道之分,分别称作增强型NMOs管和增强型PMOs管,其结构与工作原理基本相似,在实际中增强型NMOs管更为常用。下面以增强型NMOs管为例来说明增强型MOs管的结构与工作原理。