像差的测量可以通过很多方法,比如阿斯麦公司的硅片平台上的白带干涉仪(Ilias传感器), J4701B3111其原理就是通过在掩膜版对应曝光狭缝不同位置的地方设计小孔,这些小孔发出的球面波会在镜头的光瞳位置形成有不同倾角的平面波。如果镜头没有像差,那么这些平面波的相位分布是均匀的。然后再在硅片平台上还原为点状的像。Ilias传感器的探测器平面选在光瞳平面的共轭面上。为r探测相位,在此探测器中使用了错位干涉仪(latcralshcaring interferomcnter,义叫做剪切千涉仪)来探测在光瞳位置的相位非均匀性。另外,也可以通过使分析硅片曝光结果来推算出像差的情况,如约瑟夫・柯克(Joc Kirk)的工作中使用的方法勹柯克的方法在原理L是一样的。

   这里只讨沦一些基本的光刻胶内容,具体的请见专门的章节。这里介绍光刻胶的类型、光刻胶的原理以及光刻胶的简单模型。

   光刻胶首先可以分为正性光刻胶和负性光刻胶。正性光刻胶在给予一定量的曝光之后,在显影液里面的溶解率会显著升高。而负性光刻胶正好相反,在经过曝光之后,变得很难溶解于显影液。在硅片曝光机出现之前,负性光刻胶主导着半导体光刻工艺「mJ。但是,由于负性光刻胶通过光化学反应实现小分子的交联(cross hnking)来降低在有机溶剂(显影液)中的溶解率,不呵避免地会在显影过程当中吸收显影液并且造成膨胀(swelling),对于分辨率要求较高的丁艺会造成困难;而且,用作显影液的有机溶剂在使用与废弃方面也面临不小挑战;此外这种光刻胶容易在空气中被氧化,导致了现代I业当中绝大多数光刻胶都是正性光刻胶。进人了深紫外时代(248nm、193nm),由于负性光刻胶在分辨率与灵敏度方面的矛盾一方面,我们需要负性光刻胶的高灵敏度,稍微有一点光就能够改在显影液中的溶解率;另一方面,我们又需要其在空问像定义的没有光的地方不留下光刻胶残留。高灵敏度会导致在空间像定义的没有光的地方(实际上没有空间像会造就完全没有光的地方,少有空问像具有100%对比度)产生一定程度的被曝光,导致显影不完全。而正性光刻胶就没有这个问题。正性光刻胶高灵敏度比较容易实现,因为它只需要在空间像定义的有光的地方大部分光刻胶被曝光,就可以将整块地方被显影液冲走(像拆大楼),而不像负性光刻胶,需要对在空问像定义的有光的地方最大限度地曝光,以形成可以抵御显影的坚固的区域(像建大楼)。