选择性锗硅外延工艺(Selective Epitaxy Growth,SiGe SEG)一般包含酸槽预处理、原KDZTR13B位氢气烘焙(ill situ H2bake)、选择性锗硅外延三个步骤。酸槽预处理采用HF和RCA清洗的方法,去除硅刻蚀后表面的杂质。在原位氢气烘焙过程中,原生氧化物被去除,使得碳氧含量低于3e1:ato血/cm3。然后进行选择性锗硅的外延,所采用的硅源有siH1、SiH2α2 (0CS),锗源有GeH|,HCl用于抑制锗硅形成于保护层△,氢气作为载气。在酸槽预处理后,需要控制在一定的时间内(如(90min)进入原位烘焙腔体中,否则硅表面会产生氧化物,使得外延出来的锗硅有位错(dislocation)和堆栈缺陷(stacking hults〉,导致五realcakage偏高「3]。原位氢气烘焙的温度在800℃以下不足以去除硅表面的碳氧杂质,使得area leakage偏高。

选择性锗硅外延I艺使用的凹穴(recess∞访ty)形状有:反向盂grllta hk。und hke`,(111>hke L等。其中<111)hke的凹穴形状难于形成堆栈缺陷。

     选择性锗硅外延I艺锗含量有平直的(flat)和阶梯式的(graded两种,还可以原位掺杂硼离子[:1。锗含量是锗硅外延工艺的一个重要参数。高的锗含量可以得到高的应力,从而提高器件性能。然而,锗含量过高易造成位错,反而降低应力效果。阶梯式选择性锗硅外延I艺可以在避免位错的同时提高总体应力效果。锗硅工艺中的锗硅体积正比于应力,高的锗硅厚度可以得到高的应力,同时把毫秒退火工艺放在锗硅外延后可以比锗硅前的源漏退火获得更好的器件性能[9]。

   选择性锗硅I艺还需要处理不同版图的差异问题,同样的程式,在硅凹穴多的产品上会获得更低的浓度和更慢的生长速率。而在微观上,还需要处理不同区域的微观差异问题(micro loading),特别是在SRAM和逻辑区域。区域的微差异对生长速率和锗含量均有明显影响。