信号地与保护地之间的保护器件(TSS)不损坏
发布时间:2019/1/8 21:28:17 访问次数:2583
为了使被测产品浪涌测试能够通过,并且信号地与保护地之间的保护器件(TSS)不损坏, GC2011-PQ主要的解决方法有两种:第一种是降低并联电容值;第二种是限制电容放电时,流过TSS的电流大小。因设各设计已经定型,此时减少电容数量对整机的EMC性能影响很大, 可行的办法就只能是第二种,即通过增加限流器件来限制电容放电时,流过TSS电流的大小。具体的处理措施是在保护器件(TSS)前串联阻值为5Ω的PTC来做限流处理(原理图如图4122所示),经过反复的浪涌测试与验证,设备可以通过电压为6kⅤ,电压波形为10/7OO us的浪涌测试,产品浪涌测试不通过的问题得以解决。
为了进一步明确以上处理措施,又进行以下两组试验以验证降低并联电容值与增加限流器件限制电容放电时流过TSS电流大小都能够对通过浪涌测试起到良好的作用。试验一:只降低保护器件(TSS)并联电容值,测试TSS在不同的浪涌测试等级下是否会损坏。
为了使被测产品浪涌测试能够通过,并且信号地与保护地之间的保护器件(TSS)不损坏, GC2011-PQ主要的解决方法有两种:第一种是降低并联电容值;第二种是限制电容放电时,流过TSS的电流大小。因设各设计已经定型,此时减少电容数量对整机的EMC性能影响很大, 可行的办法就只能是第二种,即通过增加限流器件来限制电容放电时,流过TSS电流的大小。具体的处理措施是在保护器件(TSS)前串联阻值为5Ω的PTC来做限流处理(原理图如图4122所示),经过反复的浪涌测试与验证,设备可以通过电压为6kⅤ,电压波形为10/7OO us的浪涌测试,产品浪涌测试不通过的问题得以解决。
为了进一步明确以上处理措施,又进行以下两组试验以验证降低并联电容值与增加限流器件限制电容放电时流过TSS电流大小都能够对通过浪涌测试起到良好的作用。试验一:只降低保护器件(TSS)并联电容值,测试TSS在不同的浪涌测试等级下是否会损坏。
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