蓝光、绿光和紫外光LED的外延生长中,在确保生长出高质量的GaN层的基础上,InGaN和Al⒍N材料的生长对得到所需的发光波长和效率有着决定性的意义,因为InGaN和AlGaN等多元半导体材料的带隙和晶格常数与其成分相关。 RA07N3340M在正常的MOCVD生长中仅有气相和半导体固相两相共存。作为外延生长的固相产物,其固相成分又与外延生长的气相反应源成分息息相关。由于NH3分解受分解动力学的限制,在生长温度下实际仅部分分解,因此,InGaN和AlGaN等通常都是在较高V/III比、合适的生长温度和氮氢混合比例中进行的。尤其是InGaN的生长,其反应通常在纯氮气环境中进行,并尽量避免氢气。

   在AlGaN材料的外延生长[1钊中,其从气相到固相转变演化时,表现出如下特点。金属Al和Ga的平衡蒸气压明显低于输入的TMAl和TMGa气相分压,Al或Ga几乎可全部并入晶格。当TMAl和TMGa两种气相同时参与反应时,虽然Al的平衡分压远低于Ga的平衡分压,理应优先于Ga并入晶格,但实际上,因TMAl与NH3之间的严重预反应,使TMAl在输运过程中不断消耗(如可能生成加合物的聚合物或沉积到热反应室壁上)因而到达生长表面的实际用于生长的Al原子减少。由于预反应造成的TMAl的损失,结果形成Ga优先于Al并入固相。