GND: 电源地。 MAX148BCAP

   RsT:复位。高电平有效。

   EA/VPP:外部寻址使能/编程电压。在访问整个外部程序存储器时EA必须置为低,如果EA为高时将执行内部程序。对Flash类型单片机,由于片内集成有程序存储器,应用程序代码存于片内,设计电路时,该引脚应接逻辑’1’。

   XTAL1:晶体1,晶振和内部时钟输入。

   XTAL2:晶体2,晶振输出。

   ALE:地址锁存使能。在访问外部存储器时输出脉冲锁存P0口上的低8位地址信息。

   Po eo,o~Po7)口:通用8位双向y0接口。用于V0接口时需外加上拉电阻,访问外部存储器时作为地址总线的低8位和数据总线的复用。

   PSEN:程序存储使能。用于访问外部程序空间。

   P1(P1.0~P1.D口:通用8位双向V0接口。