如果想成功地完成化学机械抛光工艺就需要有成熟的系统设备。生产用的化学机械抛光小结化学机械抛光是一步关键的平坦化工艺，它需要平衡高度集成化和许多工艺参数。 PCA9534ARGVR主要参数是：研磨垫的构成、研磨垫的压力、研磨垫旋转速度、机台旋转速度、磨料浆的流速、磨料浆的化学成分、磨料浆的材料选择。加之对光刻工艺平整度的改善，化学机械抛光使双大

马十革图形化和铜金属化工艺得以实现。这一应用将在第13章进一步探讨。

   一螳器件设计使用一层或多层硬平整化涂层。通常淀积具有4%~5%硼掺杂的二氧化硅，称为硼硅玻璃( BSG)。由于硼的存在使二氧化硅在相对低的温度（小于500℃）下液化流动，形成平坦的表面。

   另一种硬平坦化层为旋转涂敷玻璃层( SOG)。玻璃层为二氧化硅和一种易挥发溶剂的混合体，旋转涂敷在晶圆表面后，烘焙玻璃膜，留下平坦的二氧化硅膜。旋转时玻璃是易碎的，有时在其中添加1%~10%的碳来增加抗裂性。

     图形反转

   在曝光小尺寸图形时，我们倾向于使用正胶，这一点茌前面已经讨论过了。其中一个原因就是正胶适于使用暗场掩模版做孔洞。暗场掩模版大部分被铬覆盖，因为铬不会像玻璃一样易损，所以缺陷比较少。然而，一些掩模版用来曝光岛区，而不是孔洞，比如金属层掩模版上是岛区图形。遗憾的是，用正胶做岛区的光刻需要使用亮场掩模版，而它的玻璃容易损伤。