形成后去除,然后沉积双极应力刻蚀阻挡薄膜。这样就可以

最小化上面所提及的潜在问题。一个典型的应力临近技术工艺流程如下: TC74HC10AFN

   (1)包括自对准硅化物形成在内的前续工艺。

   (2)通过干法刻蚀来部分去除侧墙。

   (3)沉积拉应力薄膜。

   (4)去除PM(B区的拉应力薄膜。

   (5)沉积压应力薄膜。

   (6)去除NMOS区的压应力薄膜。

   (7)包含沉积金属前介电薄膜在内的后续I艺。

   在部分去除侧墙工艺的过程中,需要小心处理并且防止过量损失自对准硅化物。从图5.16中可以看到,采用应力临近技术进一步地提高了器件的驱动电流。

   图5.16 有和没有应力临近技术的pMOs驱动电流比较