如何选择高乃介质呢?首先高的乃值是一个主要的指标。表4.6列出了候选的介质和它们的芡值。 NCP1380BDR2G根据材料的化学成分、制备方法和晶体结构等条件的不同,同一种材料可能具有不同的屁值。

   表4.6 介质和它们的七值

   除了高的乃值,介质同时还必须考虑材料的势垒、能隙、界面态密度和缺陷、材料的化学和热稳定性、与标准CMOS工艺的兼容性等因素。Hf02族的高乃介质是目前最有前途的选择之一(其次是zrO2族的高乃介质)。

   在高花介质研究的前期,介质与多晶硅栅极的兼容性一直是一个问题。如图4,8所示,由于在HfO2和多晶硅界面上形成Hf Si键合,即界面存在缺陷态,使得无法通过多晶硅的掺杂调节器件的开启电压(Vt),这被称为“费米能级的钉扎”。