集成电路制造工艺发展趋势
发布时间:2017/10/12 21:55:23 访问次数:591
⒛世纪中叶以来,以电子计算机为代表的电子技术产品的不断革新使得社会的发展日新月异,PIC16F1783-I/SS社会的每个方面都产生了深刻的变化。集成电路产业作为技术革命的中心,是整个社会电子产品最不可或缺的要素。集成电路I业发展如表2.1所示[1]。
表2.1 集成电路工业发展趋势
从表2.1中可以看到50年来集成电路技术发展的巨大变化。集成电路工业在系统需求增长的推动下,如摩尔定律(大约每2准个月芯片上集成元件的数量就翻一番)所描述的,密度和性能方面持续地和系统化地不断增长,持续降低的功能单位成本(cost pcr function,以往每年可降低约25%~29%),通过计算机、通信以及其他工业与消费电子的普及,从而极大地提高了经济生产力和人们的总体生活质量。这一切在很大程度上要求集成电路制造工艺不断发展。
集成电路制造工艺发展的直接动力来自于单位晶体管制造成本的不断降低和晶体管性能的不断提高的要求。
⒛世纪中叶以来,以电子计算机为代表的电子技术产品的不断革新使得社会的发展日新月异,PIC16F1783-I/SS社会的每个方面都产生了深刻的变化。集成电路产业作为技术革命的中心,是整个社会电子产品最不可或缺的要素。集成电路I业发展如表2.1所示[1]。
表2.1 集成电路工业发展趋势
从表2.1中可以看到50年来集成电路技术发展的巨大变化。集成电路工业在系统需求增长的推动下,如摩尔定律(大约每2准个月芯片上集成元件的数量就翻一番)所描述的,密度和性能方面持续地和系统化地不断增长,持续降低的功能单位成本(cost pcr function,以往每年可降低约25%~29%),通过计算机、通信以及其他工业与消费电子的普及,从而极大地提高了经济生产力和人们的总体生活质量。这一切在很大程度上要求集成电路制造工艺不断发展。
集成电路制造工艺发展的直接动力来自于单位晶体管制造成本的不断降低和晶体管性能的不断提高的要求。
上一篇:载流子受到界面散射影响有限
上一篇:增大晶圆的尺寸
热门点击
- 源漏工程
- DRAM和eDRAM
- 线性方程组用矩阵形式
- 无结场效应晶体管
- EUT的搭接
- 圆柱体全包围栅量子阱HEMT场效应晶体管器件
- 放电从人体的指尖传到器件上的导电引脚
- 极管包含如下两种:
- 二氧化硅的乃值在⒋2左右
- 安装工艺中的紧固和连接
推荐技术资料
- Seeed Studio
- Seeed Studio绐我们的印象总是和绘画脱离不了... [详细]