表面阻抗边界条件适用于分析处FDPF15N65于交变电磁场中的良导体,简化了计算方法。良导体的电导率和磁导率需认为是线性和各项同性的。在交变场中,场会从导体表面向里以指数形式衰减。衰减的特征长度,即趋肤深度,其中,〃为磁导率,σ为电导率,ω为角频率。

      如果趋肤深度与导体的尺寸相当,则可将导体的网格大小按照一般的网格划分方式,设为Ⅳ3或者更小即可。而表面阻抗边界条件只适用于趋肤深度相当小的情况,例如:

      远小于导体的厚度;

      远小于曲面的曲率半径;

      远小于表面上场变化的切向尺度。

      在满是以上这些条件下,表面阻抗边界条件才能有较好的工程精度。在0pem3D中,表面阻抗边界条件不是以边界条件的形式输入,而是以材料特性方式输人,应用于模型中所有这类材料的表面。

      电流源边界条件,电流源边界条件适用于CARMEN、DEMAG、EI冫EKTRA、TOSCA模块中的电流分析。在模型中,电流将流入/流出标有相同电流源边界条件的边界。正的电流值代表电流流人边界所在的体积,负的电流值代表流出该体积。