许多杂质既可以是替位式也可以是填隙式溶于晶体的晶格中,并通过这两类杂质的联合移动来扩散。 MAX3041ESE+T一个替位原子可能离解成一个填隙原子和一个空位,所以这两种扩散总是相互关联的。这类扩散杂质的跳跃速率随晶格缺陷浓度、空位浓度和杂质浓度的增加而迅速增加。对于具体的杂质而言,究竟属于哪一种扩散方式,取决于杂质本身的性质。在单晶硅中,不同的杂质元素是以不同方式扩散的。

   ①替位式杂质:主要是ⅢA和ⅤA族元素,具有电活性,在硅中有较高的固溶度。它们多数以替位式方式进行扩散,扩散速率慢,称为慢扩散杂质。如川、B、Ga、h、P、跳、As。

   ②填隙式杂质:主要是IA和ⅧA族元素,如Na、K、h、H、七等。它们通常无电活性,在硅中以填隙式方式进行扩散,扩散速率快。这类杂质在微电子器件或集成电路制作中意义不大.对此不再讨论。

   ③填隙―替位式杂质:大多数过渡元素,如Au、Fe、Cu、Pt、Ni、i\g等.都以填隙一替位式方式扩散,最终位于间隙和替位这两种位置上。位于间隙的杂质无电活性,位于替位的杂质具有电活性。这两种位置杂质的固溶度差别很大,位于同种位置的比例随元素不同而叉有很大差别,如Au约90%为电活性的,№只有0.1%具有电活性。填隙一替位式杂质扩散速率快,约比替位式扩散杂质快五六个数量级,因此,被称为快扩散杂质,但在硅中的罔溶度小于替位式扩散杂质。