薄膜在微电子分立器件和集成电路中用途广泛,无论是半导体薄膜,介质薄膜,还是金属薄膜,都OM5234/FBB是不可或缺的。微电子工艺中用到的薄膜从微观结构上看,有单晶薄膜,多晶薄膜和非晶薄膜;从薄

膜厚度上看,在几纳米到几个微米之间。目前,随着集成电路单元寸的进一步缩小,集成度的不断提高,薄膜厚度也越来越薄,最薄的已达几个原子层的厚度。

   半导体单晶薄膜通常采用外延工艺制备,可以把生长的外延层看成半导体单晶薄膜,这在第3章中已做了介绍。另外,多晶硅薄膜也是一种常用的半导体薄膜,多晶硅薄膜的制备方法与介质薄膜相类似,多采用化学气相淀积工艺制各。

    介质薄膜和金属薄膜主要是采用化学气相淀积(Cl/ˉD)或物理气相淀积(PⅥ⑴工艺制备。介质薄膜多采用化学气相淀积工艺制备。化学气相淀积主要有常压化学气相淀积、低压化学气相积、等离子增强化学气相淀积和金属有机物化学气相淀积等方法。而金属及金属硅化物薄膜通常是采用物理气相淀积工艺制备。物理气相淀积工艺主要有真空蒸镀,溅射,分子、离子束淀积等方法。

在微电子工艺中应用最多的介质薄膜是二氧化硅和氮化硅薄膜;半导体薄膜主要是多晶硅薄膜和硅化物薄膜;金属薄膜主要有铝、金、铂等单质金属薄膜,镍铬等合金薄膜,硅化钨、硅化钛等金属化合物薄膜,以及多层金属薄膜。进入21世纪以来,对超大规模集成电路的铜多层互连系统的研究有了很大进展,铜系统在超大规模集成电路上的应用已逐步取代铝系统,铜薄膜也是一种重要的金属薄膜。