氧化层错的显示方法是将氧化后的硅片用稀HF泡掉氧化层,然后用⒊rtl腐蚀液(100m1'H20+50g ClO3+75mI'HF)或Dash溶液(HF:CH3CoC)H:HN()3=1:13:3)腐蚀约20s即可。经腐蚀的硅片放在显微镜下就可以看到火柴根式的直线状缺陷(都沿(110)取向,彐线缺陷的两端颜色较深)。S9S08AW32E5MFUE氧化层错等长且均匀分布往往说明抛光质蚩不好;若长短不等,则是氧化I艺导致缺陷。如果腐蚀时间较长,就扩大成梯形、甚至成弧形的腐蚀坑。另外,用透镜电子显微镜和X射线形貌法等都可以对氧化层错进行观察。

   总而古之,晶体中的缺陷对微电子产品性能和I艺都有很大的影响,因此在单晶制各和芯片制造工艺上如何控制晶体缺陷是一个很重要的课题。从单晶制备来看,目前需要着手解决的是微缺陷的 问题。而从芯片制造工艺来看,为了控制各种工艺诱生缺陷(包括氧化层错),如何有效地应用各种吸除技术是一个值得重视的问题。