在硅片进出氧化区域的过程中,要注意硅片上温度的变化不能太大,否则硅片会产生扭曲,引起很大的内应力。 KAQY210硅热氧化T匚艺,按所用的氧化气氛可分为3种方式:干氧氧化、水汽氧化和湿氧氧化。下面分别就不同氧化气氛下的热氧化生长机理进行讨论。

   干氧氧化是以干燥纯净的氧气作为氧化气氛。生长机理是在高温下,当氧气与硅片接触时氧分子与其表面的由于起始氧化层阻碍了氧分子与s表面直接接触,后续的氧化层增长过程是氧分子扩散穿过已生成的⒏O2层,运动到达s/SK)2界面进行反应的过程。

   干氧氧化的特点:氧化层结构致密,均匀性和重复性好,掩蔽能力强;表面是非极性的硅氧烷结构,所以与光刻胶黏附良好,不易浮胶。不足之处是干氧氧化的生长速率慢、易龟裂而不适合于厚氧

化层的生长。