1947年年末,美国的贝尔实验室(Bell Lab)发明了半导体点接触式晶体管,这是最早的半导体器件,随后出现了合金结晶体管,它们采用的半导体材料都是锗晶体。NAND01GW3B2BN6E合金法制造pll结工艺示意图如图0-3所示。

   直到1954年,第一块硅晶体才由美国德州仪器公司(Texas h虻ruments)研发成功。几乎同时,利用气体扩散把杂质掺入半导体的技术也由贝尔实验室研发出来。有重要意义的突破是,在硅片上热生长出了既具有优良电绝缘性能又能掩蔽杂质扩散的二氧化硅层。此后不久,在照相印刷业中早已广泛应用的光刻技术,以及透镜制造业中应用的薄膜蒸发技术被引进到半导体工艺中来。仙童半导体公司(F“rchdd⒌miconducto0研制的硅平面工艺使制造性能稳定的平面晶体管成为可能。以平面工艺制造pn结的工艺流程如cl4所示,其要点如下:

   ①在硅的平坦表面上生长出一层稳定的二氧化硅;

   ②采用光刻技术在二氧化硅上刻出窗口;

   ③通过刻出的窗口将掺杂剂掺人硅,掺杂剂沿垂直和水平两个方向在硅中扩散,在窗口附近形成一定的杂质分布;           `

   ④pn结在表面处被二氧化硅覆盖,这层二氧化硅不再被去掉,可使器件性能更加稳定。硅平面工艺的发明使集成电路的制造成为可能。1958年美国的德州仪器公司和仙童半导体公司各自研制出了双极型集成电路。1962年MOS场效应晶体管和MOS场效应集成电路也相继诞生。