当人们穿着化纤织物时,REF02BPG4人体运动的充电电流为107~106A,总的充电电荷为(0,1~5)×106C,人体对地的电容为150~犭0pF,若以电荷3×106C计,则充电电压。

   人体的静电放电模型可用电阻和电容的串联来模拟,设人体电阻R=500Ω,人体电容C=3O0pF,人体带静电电压〃=10kⅤ,则静电所含能量=15(mJ)尽管静电电压高达10kⅤ,能量仅15111J,对人体没伤害,但当人手去触摸设备的金属部分时会产生火花放电,瞬间的脉冲峰值很高,很可能对电子电路产生干扰或破坏。本例中放电电流的峰值JP≈〃R=⒛(A);放电时间很短,可近似为Td≈Rε=150(ns),这对于MOS电路来说,则将受到致命打击。

   大多数半导体器件都很容易受静电放电而损坏,特别是大规模集成电路器件更为脆弱。通常以半导体器仵中引脚与绝缘层被静电放电击穿的静电电压值来表示半导体器件的易损性。常见的半导体器件对静电放电的易损值为100~3000Ⅴ。

   表16-1列出了常见器件的易损参考值。