(1)开启电压UT

   UT是M(E增强型场效应管的重要参数之一,若栅-源电压UGs小于σT,则场效应管处于截止状态。

   trGs>0时,栅极与HD100160衬底之间会形成一个垂直于半导体表面、由栅极G指向衬底的电场;该电场的作用在于排斥P型衬底中的空穴、吸引电子移动至表面层。若⒒亠s增加至某一固定值,则绝缘体和P型衬底的交界面附近会积累较多的电子而形成N型薄层,被称为N 型反型层;该反型层使漏极与源极之间形成一条由电子构成的导电沟道,施加L「(:之后则会有漏极电流ⅠD流经该沟道。通常将刚刚出现rD时所对应的栅一源电压称为开启电压,以UT(thl或LrT表示。

   (2)夹断电压UP

   σDs为某一固定值(如10V)并使JD等于某一微小电流(如50mA)时,栅一源极之间所施加的电压即是夹断电压;若uGs=LJP,贝刂rD=o。

   (3)饱和漏极电流UP

   它是指在LJGs=0时,场效应管发生预夹断的漏极电流;rDss是结型场效应管所能输出的最大电流。

   (4)直流输入电阻R∞

   它是指在漏-源极间短路、且栅一源极间施加一定电压时,栅-源极之间的直流电阻,即栅-源极间的等效电阻。结型场效应管的R“通常大于107Ω;而MOS型场效应管的R()s可达109~1015Ω(因为MOS型管的栅-源极间具有⒏02绝缘层)。