(1)集电极最大允许电流

   应的集电极电流,被称为HCF4051集电极最大允许电流ⅠcM。应用时,不一定会损坏晶体管,但`已经明显减小时 作为放大器件的晶体管的Ⅰc最好不超过ⅠcM值。

   (2)集电极一发射极击穿电压LT(br)ce。(BLrck.tl)它是指晶体管基极开路时施加于集电极与发射极之间的最大允许电压;集电极与发射极之间的电压切不可超过图Lr(br)cc。。当温度升高时,击穿电压会下降,而实际使用

   集电极电流与`关系曲线时,施加于集电极一发射极之间的电压应小于LJ(lil cc。,通常取为⒒⒄ce。的1/2比较安全。但值得注意的是晶体管对过电压的承受能力很差,一旦被反向击穿,晶体管则可能永久损坏。

   (3)集电极最大允许耗散功率PcM

   晶体管集电极电流通过集电结所要耗散的功率越大,则集电结的温升越高;根据晶体管所允许的最高温度,即可确定集电极最大允许耗散功率PcM。小功率管的PcM应在几十至几百毫安,大功率管的PcM应在1W以上;由于P⑶与温度有密切关系,故为了提高P cM,大功率晶体管通常需要安装散热片。