半导体器件可分为分立器和集成电路两大类;分立器中的二极管和二极管的命名方法是依据《半导体分立器件型号命名方法》(GB/T249―1989)而指定的。HA17358ARPEL此外,本节还列出了美国、日本、前苏联等国家的半导体分立器的型号命名方法,具体详见附录一。

   (1)最大整流电流ⅠM

   它是指二极管长期工作于正常条件下,能够通过的最大正向电流值。因为电流流经二极管时会发热,若电流过大,则二极管极可能因发热过度而被烧毁,故二极管使用时尤其需要注意正向电流值不得超过ⅠM;而电路中应用大电流整流二极管时,需设计相应的散热片。

  (2)反向电流rc。

  它是指在二极管被施加反向电压时流经二极管的直流电流。理想状态下二极管因具有单向导电性而无反向电流,但实际中反向电压下会产生极为微弱的电流,该电流在二极管被反向击穿前是基本保持不变的,又称为反向饱和电流。大量实验表明,硅管的反向饱和电流在1uA以下,而锗管的反向饱和电流也仅有几百微安;rc。的大小反映了晶体二极管单向导电性能的好坏,即r∞的值越小,则单向导电性越好。

   (3)最大反向工作电压URM

   它是指二极管正常工作时所能承受的最大反向电压。二极管被反向连接时,若反向电压达到某一固定值,则二极管内的反向电流会骤然剧增、二极管呈现击穿状态,此时的电压被称为反向击穿电压。而晶体二极管的反向工作电压通常取为击穿电压的2/3;过电压极容易造成晶体二极管的损坏,因此,在实际使用时,必须确保反向电压不超过uRM。