当把晶圆从石英舟上卸下后，AD8013AN要对这些晶圆进行检测和评估、评估的特性和数目依赖于氧化层和特定电路对精确度及洁净度的要求（评估过程的详细内容将在第14章中予以描述）。

   氧化：艺的要求就是在晶圆表面七生长一层均匀、无污染的二氧化硅层。当进行晶圆制造操作时，在晶圆表面积累_『热生长的氧化和其他淀积层。那些其他淀积层干扰Jl特殊氧化的最终质量。因为这个原因，一批具有氧化膜的晶圆进入炉管时，这其中包括一定数量的测试晶圆，这螳表面裸露的晶圆被按一定的目的放入石英舟中的特定位置。测试晶圆对于那些需要破坏性或要求大面积未受到干扰的氧化区域的评估是必需的。作为氧化操作的结论，它们被用来做1：艺的评估。一些评估由操作员在线实行，另一些评估由质量控制( QC)实验室离线实施。

   表面检测

   对氧化膜洁净度的快速检测是由操作员在晶圆从氧化石英舟卸下后实施的。在高亮度的紫外线( uv)F对每片晶圆进行检测。晶圆的表面颗粒、不规则度、污点都会在紫外线下显现.

   氧化膜厚度

   氧化膜的厚度是非常重要的、町以选用几种不同的技术在测试晶圆上来测量（见第14章）。这些技术包括：颜色比较，边缘记数、干涉、椭偏仪、刻纹针振幅仪和电子扫描显微镜( SFJM)。

   氧化膜和炉管清洗

   除了颗粒和污点的物理污染以外，氧化膜应该将可移动离子污染量减到最小。这些叮以用复杂的电容一电压( C/V)技术来检测，这种技术检测氧化层中可移动离子的总数，但它不能确定这些污染的来源，这螳污染也许来自炉管、气体、晶圆或清洗工艺。因此，C/V分析仅是一个晶圆合格／不合格的指标，是对整个炉管操作的检验。