于氧氧化的缺点是氢气的易爆炸性。在达到氧化温度时，氢气非常容易爆炸。可以用IPW50R199CP一些保护措施来减少潜在的爆炸可能性。例如把进入炉管的氧气和氢气管分开，并流入过量的氧气。过量的氧气可以保证每个氢分子(H：)和氧原子形成不爆炸的水分子(H：O)。其他的防护措施还有氢气报警，以及在气体柜和清除机之间安装热灯丝，它可以在爆炸发生前就燃烧掉跑出的多余氢气。

   掺氯氧化：更薄的MOS栅极氧化要求非常洁净的膜层。当在氧中加入氯时，器件的性能和洁净度就会得到改善。，氯可以减少氧化层里的移动离子电荷，减少硅表面及氧化层的结构缺陷，减少氧化膜和硅界面的电荷。氯来自干氧气流中氯气( Cl：)、氯化氢(HCl)、三氯乙烯( TCE)或氯仿(TCA)。对于气态源，氯、氯化氢以及氧气由不同气体流量计控制进入炉管。对于液态源，像三氯乙烯( TCE)或氯仿(TCA)，从液态发泡器中以气态形式进入炉管。从安全和方便的角度来讲，氯仿( TCA)是比较好的氯源。掺氯氧化循环可以在一步反应里完成，也可以在于氧前或干氧后进行。

   氧化后，通常借助于紫外(UV)灯进行一个快速的表面检查。这些高强度的光源可以使操作者看见肉眼看不到的小颖粒和瑕疵。有时还要进行显微镜的表面检查。

   自动晶圆装载：一旦晶圆进化到200 mm直径以后，装卸晶圆对于水平式炉管操作员变成了一个挑战。一批水平式石英晶圆承载架很重，甚至对于机器手装载进水平式炉管也是笨拙和低效率。装卸单个晶圆进出垂直式叠放炉就容易多了。拿取一放置式机械，有时也称机械手( robot)从晶圆片架(cassette)取出一片晶圆，然后把它放入一个炉用石英舟里。对于晶圆装舟系统，难点在于把测试片、生产片和“假片”正转移管确地放到石英舟里（假片通常是放在顶部和底部）。这些晶圆必须从不同的石英舟中取出。

   手动装载晶圆：晶圆被放在聚四氟乙烯( Teflon)或其派生物制成的承载器[也称“舟”(bc，at)或“片架”(c：assette)]中进行清洗步骤，然后被转移到石英或碳化硅的承载器中进行反应炉反应。

   对于这些传递较小晶圆的操作是用真空吸笔或有限度加紧的镊子（见图7. 29）。尽管通常避免使用镊子，还是有为大直径晶圆设计的镊子。