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快速晶闸管的阻断耐压不够高

发布时间:2017/1/23 20:42:17 访问次数:489

   纵观我国感应加热用中频电源的发展历史,可把其ICL7662CBD 发展概括为⒛世纪⒛年代的开发研究期、SO年代的成熟应用期、⒛年代的大范围推广期和⒛世纪末期的提高性能期。

   (1)⒛世纪⒛年代为众多单位参与的开发研究期。我国应用电力半导体器件研制感应加热用中频电源的历史可追溯到⒛世纪⒛年代,1963年我国第一只晶闸管问世,在19⒛年我国开发出了快速晶闸管,1972年我国许多单位都开始了晶闸管中频电源的研究。这个时期应用的核心器件为快速晶问管,其控制电路为由众多分立元器件构成的多块控制板组成的插件箱结构。同时,由于晶闸管制作工艺技术的限制,决定了主电路结构,快速晶闸管的阻断耐压不够高,由两只或三只晶闸管串联构成逆变桥臂,所应用的快速晶闸管的数量为8只或12只,因而晶间管需要采用均压网络。由于这个时期晶问管的关断时间不能太短,所以决定了中频电源的输出频率不高;又因为这个时期快速晶闸管的动态参数dzr/d莎和dj/d莎不是很高,导致了系统中限制dlt/dr及dj/d莎的网络庞大而复杂。在此阶段由于整个晶间管可靠性还很不理想,决定了这一阶段中频电源多是实验室产品,在工业中应用很少。

   (2)⒛世纪⒛年代的成熟应用期。到1980年以后,由于国产晶闸管制造工艺的长足进步及技术引进,其可靠性获得了很大的进步,因而中频电源逐步从实验室进人了工业生产实际应用中。这一时期的晶问管中频电源逆变桥已逐步从多只快速晶闸管串联向单只晶

闸管过渡,但输出工作频率仍然不是很高,多在2.5kHz以下,要获得4kHz或8kHz的输出频率仍不得不使用倍频等复杂控制技术。

   纵观我国感应加热用中频电源的发展历史,可把其ICL7662CBD 发展概括为⒛世纪⒛年代的开发研究期、SO年代的成熟应用期、⒛年代的大范围推广期和⒛世纪末期的提高性能期。

   (1)⒛世纪⒛年代为众多单位参与的开发研究期。我国应用电力半导体器件研制感应加热用中频电源的历史可追溯到⒛世纪⒛年代,1963年我国第一只晶闸管问世,在19⒛年我国开发出了快速晶闸管,1972年我国许多单位都开始了晶闸管中频电源的研究。这个时期应用的核心器件为快速晶问管,其控制电路为由众多分立元器件构成的多块控制板组成的插件箱结构。同时,由于晶闸管制作工艺技术的限制,决定了主电路结构,快速晶闸管的阻断耐压不够高,由两只或三只晶闸管串联构成逆变桥臂,所应用的快速晶闸管的数量为8只或12只,因而晶间管需要采用均压网络。由于这个时期晶问管的关断时间不能太短,所以决定了中频电源的输出频率不高;又因为这个时期快速晶闸管的动态参数dzr/d莎和dj/d莎不是很高,导致了系统中限制dlt/dr及dj/d莎的网络庞大而复杂。在此阶段由于整个晶间管可靠性还很不理想,决定了这一阶段中频电源多是实验室产品,在工业中应用很少。

   (2)⒛世纪⒛年代的成熟应用期。到1980年以后,由于国产晶闸管制造工艺的长足进步及技术引进,其可靠性获得了很大的进步,因而中频电源逐步从实验室进人了工业生产实际应用中。这一时期的晶问管中频电源逆变桥已逐步从多只快速晶闸管串联向单只晶

闸管过渡,但输出工作频率仍然不是很高,多在2.5kHz以下,要获得4kHz或8kHz的输出频率仍不得不使用倍频等复杂控制技术。

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