去除表面的污染和不期望的自然生长的氧化层对于一个L—，转移成功的氧化工艺来讲是基本的。BCM2050KMLG进入晶圆的污染会对器件产    氧化丁艺流程生电特性问题，对二氧化硅膜产生结构完整性问题。自然生长的薄氧化层能改变厚度和氧化层生长的完整性。

   典型的前氧化工艺（见第5章）是从机械洗刷开始的，接着是RCA湿法清洗步骤，去掉有机物和非有机物污染，最后用氢氟酸( HF)或稀释的氢氟酸刻蚀掉先天或化学生长的氧化层。这是氢氟酸的最后。F艺。

   晶圆的氧化.[艺分为几个不同的步骤。一旦晶圆进入清洗台，这些晶圆将经过彻底清洗。洁净的晶圆对于制造过程的所有工艺来讲都是基本的。对于在高温工艺之前，此过程更为重要。

   一旦晶圆稳定在JF确的温度条件时，气体控制器就会把流入的气体转到所选择的氧化剂。对于厚于1200 A的氧化层，氧化剂通常是前面已讨论过的一种蒸气源。对于薄于1200 A的氧化层，通常采用纯氧，因为其更佳的工艺控制和更洁净，产生的氧化膜更致密。薄的MOS栅极氧化膜通常是在较低温度(900℃)的氧气中生长。然而，在反应炉中氧化工艺时问町能需要几个小时。一个替代的方式是在湿氧环境中牛长薄栅氧膜以减少工艺时间，而羁．足减压的情况下。降低压力可以维持氧化膜的密度和结构完整2。薄的MOS栅氧化层要求非常洁净的层。当在氧化过程中加入氯后，洁净度和器件性能得到改善28。