绝缘栅双极晶体管(Inqulated Gate BⅡd盯⒎ansistor)简称⒑BT,是一种集BJT的大电流密度和M0叩ET电压驱动场控型器件的优点于一体的高压、MAX3222IDBR高速大功率器件。目前有用不同材料及丁艺制作的IGBT,但它们均可被看作一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管的复合结构。

   绝缘栅双极晶体管(⒑BT)本质上是一个场效应晶体管,只是在漏极和漏区之间多了一个P型层。根据国际电I委员会(IEC)的文件建议,其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。为了兼顾长期以来人们的习惯,IEC规定:源极引出的电极端子(含电极端)称为发射极端(子),漏极引出的电极端(子)称为集电极端(子)。