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荧光体能被绣0~480nm的蓝光激发

发布时间:2016/11/7 21:24:02 访问次数:831

    在400~470m波段范围内Mc2si5N:∶Eu2+有高效的吸收和激发,与InGaN基LED的蓝光芯片匹配很好,在465nm激发下,量子效率按Ca到Sr和Ba的顺序增加,AD8574ARU其中S。si5N:∶Eu2+荧光体的量子效率达到75~80%,是白光LED中较为合适的红光荧光体。

   硅氮化合物除了Me2si5N:∶Rc以外,还有Lasi3N5∶Cρ以及Eu2+、C矿坏口Tb3+激活的Ⅱsi2N3化合物、发射黄光的CaAlsN3∶Cc3+荧光体也相继被报道。其中化学组成为 Cal丢C%L1A1sN3(F0。胧)荧光体能被绣0~480nm的蓝光激发,发射出570~63Onm的宽带黄色光谱。用InGaN芯片(d~sOnm)封装后可得到色温37”K的暖白光LED,是有潜力的pc-LED转换荧光体。

     



    在400~470m波段范围内Mc2si5N:∶Eu2+有高效的吸收和激发,与InGaN基LED的蓝光芯片匹配很好,在465nm激发下,量子效率按Ca到Sr和Ba的顺序增加,AD8574ARU其中S。si5N:∶Eu2+荧光体的量子效率达到75~80%,是白光LED中较为合适的红光荧光体。

   硅氮化合物除了Me2si5N:∶Rc以外,还有Lasi3N5∶Cρ以及Eu2+、C矿坏口Tb3+激活的Ⅱsi2N3化合物、发射黄光的CaAlsN3∶Cc3+荧光体也相继被报道。其中化学组成为 Cal丢C%L1A1sN3(F0。胧)荧光体能被绣0~480nm的蓝光激发,发射出570~63Onm的宽带黄色光谱。用InGaN芯片(d~sOnm)封装后可得到色温37”K的暖白光LED,是有潜力的pc-LED转换荧光体。

     



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