通过不同的光刻工艺,在蓝宝石表面能够有效地制备不同的图形,其刻蚀深度、图形G24102DL-R尺寸和间距都可以进行有效的控制。由不同图形的蓝宝石衬底制备的LED芯片在电子和光学等性质方面存在较大的差异,YT。Hst】等人分别制备了半球形、六角形和圆锥形的蓝宝石衬底表面(见图5-38),半球形和六角形衬底的图形直径均3.4um,问距为1.8um,而圆锥形衬底直径为2um,间距3,2um。在传统蓝宝石衬底、半球形图形化衬底、六角形图形化衬底和圆锥形图形化衬底表面生长的GaN夕卜延层的位错密度分别为8,7×10飞m2、2×1y田卩、3×1ycm2和5×1y。半球形图形化蓝宝石衬底制各的GaN夕卜延层位错密度最小,晶体质量最高,由其制备的LED也具有最佳的电流一电压特性。