分子束外延技术是在超高真空系统(10:Pa)中,由构成外延薄膜的一种或多种元素,以原子、原子束或分子束形式直接喷射到适当温度的单晶衬底上, H9TQ17ABJTMCUR-KUM同时控制分子束对衬底扫描,使得分子或原子按一定的结构有序排列,形成晶体薄膜,其设备如图5-14所示。分子束外延技术发展于⒛世纪⒛年代初,由美国Bcll实验室和中国台湾中研院始创。与VPE和LPE等外延技术是在接近于热力学平衡下进行反应不同,MBE是一种真空蒸镀的物理沉积过程,生长主要由分子束和晶体表面的反应动力学控制r MBE过程主要包括:①在超 高真空腔内,源材料在发射炉(喷射池,见图5-14)中通过高温蒸发、气体裂解或电子束加热蒸发等方法产生分子束流;②分子束流喷射到衬底表面,在于衬底交换能量后,经表面吸附、迁移、成核、生长成膜。不同组分的喷射池分别排列在衬底的斜下方,各组分和掺杂剂的分子束直接喷射向保持一定温度的衬底表面。在喷射池和衬底之间的空间被分为三个区域:分子束产生区;分子束交叠和蒸发元素混合区;衬底表面L的外延结晶区。