发射光的亮度仍未达到照明使用的标准,且发射波长偏紫色,

因此需要开发新型的结构以达到照明光源的要求。H9DA4GH2GJBMCR-4EM高效蓝光LED器件制各的关键一步是合金(InG之N和A1GaN体系)的生长和p型掺杂,这是制备异质结的关键。InG瘀(化学式:I‰Ga宀N)是由GaN和InN混合组成的Ⅲ-V族三元系合金半导体材料,具有直接带隙结构。InGaN的禁带宽度随着In在合金中的含量(x)变化而变化(室温下的禁带宽度范围为1,95~3,4eV),也决定了其发射光波长随着In含量而变化。通常豸值的变化范围在0,m到0.3之间,豸=0.胧时发射近紫外光;豸=0,1时发射波长为390nm的紫外光;J=0.2时发射波长为辊0nm的蓝紫光;豸=0.3时发射波长为轺0nm的蓝光。AlGaN合金半导体材料由AlN和GaN组成,其发光范围覆盖了从蓝光到紫外光的区域。19%年,NakalllLlra等首次开发出InGaN从lGaN双异质结,并采用Zn掺杂提高InGaN有源层的发光强度,实现了2.7%的外量子效率,成功制各出波长为450nm,适合于照明用的高亮度蓝光LED,并将此蓝光LED商品化,其结构如图5-6所示。