发光二极管芯片基本结构
发布时间:2016/11/1 20:48:23 访问次数:997
LED芯片由多层不同性质的半导体薄层材料相叠,并在最顶层及最底层分别制作正负金属电极, M29W160ET70N6E称该类为垂直结构LED,如图⒋1所示。也可使用光刻工艺在p型层表面挖沟槽至n型层,将正、负金属电极制作在同一表面,称该类为平面结构LED,如图⒋2所示。
LED诞生的初期采用最为简单的同质结结构,在矿型半导体衬底上外延生长矿型材料,之后再在其上生长p型材料,也可在矿型材料上p型掺杂扩散形成少矿结。由于⒉矿结的耗尽区主要集中在p型层,即发光区主要在p型层,为了减少光子吸收,p型层的厚度较薄,约为数个微米左右。
LED芯片由多层不同性质的半导体薄层材料相叠,并在最顶层及最底层分别制作正负金属电极, M29W160ET70N6E称该类为垂直结构LED,如图⒋1所示。也可使用光刻工艺在p型层表面挖沟槽至n型层,将正、负金属电极制作在同一表面,称该类为平面结构LED,如图⒋2所示。
LED诞生的初期采用最为简单的同质结结构,在矿型半导体衬底上外延生长矿型材料,之后再在其上生长p型材料,也可在矿型材料上p型掺杂扩散形成少矿结。由于⒉矿结的耗尽区主要集中在p型层,即发光区主要在p型层,为了减少光子吸收,p型层的厚度较薄,约为数个微米左右。
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