1)单层器件结构

   如图8-3所示,单层器件结构在器件的正极和负极间,制作由一种或数种物质组成。 OP27EP在聚合物EL器件和掺杂型0LED器件中较为常见。

   优点:制各方法简单。               '

   缺点:复合发光区靠近金属电极而靠近金属电极处缺陷多,非辐射复合概率大,而且该处的高电场容易产生发光淬灭;由于两种载流子注入不平衡,载流子的复合概率比较低,因而影响器件的发光效率。

   2)单杂型器件结构(SH)

    如图8-4所示,单杂型器件由两层不同功能材料图83 单层结构有机oLED器件构成,根据功能性材料的不同,分为单杂A型和单杂

B型。

   主要特点:发光层材料具有电子传输性,需要加入一层空穴传输材料去调节空穴和电子注人到发光层的速率,这层空穴传输材料还起着阻挡电子的作用,使注人的电子和空穴在发光层处发生复合。