微尖的制作过程如下:

   (1)制作导电基板(ITO玻璃)和1um厚的⒊02绝缘层以及栅极(Mo)的三层结构,如图4-6所示。

   (2)栅极光刻和反应离子刻蚀过程。该过程F08B103对光刻精度要求很高(小于1.5um),可通过紫外光步进曝光实现,如图4-7所示。光刻技术是开发新型CMOS制造工艺中的间控功能(gati吧func沆n)。所有半导体制

   (a)栅极光刻和反应离子刻蚀;(b)绝缘层刻蚀(化学刻蚀或反应离子刻蚀)。造商都采用相同的光刻工具,但使用工具的方法则根据制造商的专业技术及相关要求而有所差异。目前的氩氟(ArF1)光刻工具可提供193nm的波长,可以用它刻蚀小至岁nm的临界尺寸,该尺寸比光波的长度小1/5。