单刀、六位RF开关达到四频段GSM手机要求
发布时间:2008/5/27 0:00:00 访问次数:595
     目前,peregrine semiconductor公司可 提供一种面向100mhz~ 3000mhz应用的sp6t(单刀、六掷)rf开关,这超过了gsm(全球通)和wcdma(宽带码分多址)系统中的蜂窝电话所需满足的严格性能标准。这款单片式器件(pe42660)准备应用于四频段gsm手机的天线模块子系统,它采用了peregrine公司专有的混合信号rf ultracmos工艺。它在所有的端口上都实现了低电压cmos逻辑控制与高电平esd容限的组合,对于这些手机而言,这也是至关重要的。此外,该器件还集成了一个saw滤波器和过压保护电路。peregrine公司的高管称,作为soi(绝缘体上硅)技术的一个变种,此项工艺的成本低于gaas(砷化镓)、sige(锗化硅)和其他的cmos工艺,而且性能也更加优越。
    这种开关的二次和三次谐波失真分别为-88dbc和-85dbc。发送器通路插入损耗低于0.55db/900mhz和0.65db/1900mhz。在这些频率条件下,发送器侧和接收器侧之间的隔离度指标分别优于48db和40db。2.75v器件的开关时间小于2ms,典型和最大工作电流分别为13ma和20ma。对于售价为60美分(批量购买10 000片时)的50ω器件,所有端口上提供的esd保护为1500v(按照人体模型)。
    
    
     目前,peregrine semiconductor公司可 提供一种面向100mhz~ 3000mhz应用的sp6t(单刀、六掷)rf开关,这超过了gsm(全球通)和wcdma(宽带码分多址)系统中的蜂窝电话所需满足的严格性能标准。这款单片式器件(pe42660)准备应用于四频段gsm手机的天线模块子系统,它采用了peregrine公司专有的混合信号rf ultracmos工艺。它在所有的端口上都实现了低电压cmos逻辑控制与高电平esd容限的组合,对于这些手机而言,这也是至关重要的。此外,该器件还集成了一个saw滤波器和过压保护电路。peregrine公司的高管称,作为soi(绝缘体上硅)技术的一个变种,此项工艺的成本低于gaas(砷化镓)、sige(锗化硅)和其他的cmos工艺,而且性能也更加优越。
    这种开关的二次和三次谐波失真分别为-88dbc和-85dbc。发送器通路插入损耗低于0.55db/900mhz和0.65db/1900mhz。在这些频率条件下,发送器侧和接收器侧之间的隔离度指标分别优于48db和40db。2.75v器件的开关时间小于2ms,典型和最大工作电流分别为13ma和20ma。对于售价为60美分(批量购买10 000片时)的50ω器件,所有端口上提供的esd保护为1500v(按照人体模型)。
    
    
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