溅射是一种物理气相沉积技术。在充有JST7805CV惰性高压电场的作用,自由电子被电场加速且持续不断地从电场中获取能量,被加速的电子与中性氩原子发生碰撞后,氩原子的轨道电子会从原子核的束缚中脱离出来而成为自由电子,即发生离子化碰撞。离子化碰撞使得氩气电离,产生氩离子流,使得蒸发源靶材中的原子或分子被高能量离子撞击而离开靶材。当原子或分子离开靶材表面后,有些靶材原子会到达待镀晶片表面形成附着原子。附着原子在晶片表面迁移直至遇到成核点或可以粘附的位置,大量的附着原子凝聚形成晶粒。当晶粒与其他晶粒相遇时,便会在晶片表面形成连续性的多晶态薄膜"。磁控溅射则是在溅射的基础上,在蒸发源靶材附近添加磁场,使得二次电子电离出更多的氩离子,增加等离子体密度,从而增加溅射效率。通过调整磁场的位置,可以将沉积的薄膜均匀性调到最佳。如图⒋2所示,磁控溅射法镀ITO在业内越来越受到重视,它可以克服蒸发方式台阶覆盖能力不好的缺点,并且磁控溅射可以实现低温镀膜,一方面节省能量,另一方面为LED芯片制造提供了很多便利与可能。磁控溅射的ITo膜与电子束蒸发的ITo膜在粗糙度、致密度、晶粒大小上都有明显的差异。如图⒋3、图4叫所示分别为电子束蒸发的ITo膜与磁控溅射的ITo膜。从图中可明显看出,溅射的

ITo薄膜粗糙度更小,致密度更高,晶粒更大。晶粒的大小主要取决于表面迁移率,表面迁移率和很多因素有关系,如晶片温度、晶片的表面状态以及后续的退火温度等。一般情况下,高温将引起高的表面迁移率与较大的晶粒。晶粒的尺寸对薄膜的光电性能有影响。