本节介绍波长为65Onm的RCLED材料外延。之所以选用650nm波段,是因为其JST2N60D对应低成本塑料光纤(plastic opticd丘ber,POF)的低损耗窗口,是一典型的渐变型塑料光纤的损耗光谱,对应于650nm的损耗为158dB/km。可见,650nm RCLED是基于POF的低成本、短距离网络通信系统中的最佳光源,对民用数据通信系统的发展具有重大意义。

   此外,65011m RCLED同样可用于其他要求高效率和高方向性的非通信领域,如扫描仪、光电鼠标等。

    图3-⒛给出了“Onm RCLED的外延结构示意图,由n型DBR下反射镜、p型DBR上反射镜和谐振腔3部分组成。n型下DBR由34对四分之一波长的si掺杂Al05Ga05As//AlAs材料构成,反射率接近100%。p型上DBR则由掺C的6对Alθ5GaO5As/AlxGal”As构成,其中靠近谐振腔的第二对DBR的齐等于l,兼作后工艺的氧化限制层作用,其他层的/等于0.9。为了得到波长为65Onm的光输出,有源区采用的是GaInP/(A105GaO5)05Ino5P三量子阱结构。通过设计调整相位匹配层的厚度,应使含有源区的谐振腔为l龙光学厚度[1剔。

   在RCLED全结构外延之前,需进行有源区自发辐射峰值波长及DBR中心反射波长的较准实验。通过调整外延过程中Mo源的流量比、生长速率或生长时间,达到设计的波长要求。图3-z是GaInP/(A105Ga05)05h05P三量子阱结构的PL谱测试结果,其中阱和垒的宽度都是5nm,通过调整阱中Ga和h的组分比,PL的峰值波长九w为653nm。是在GaAs衬底上生长的15对Al05GaO5As从lAs DBR材料的白光反射谱,反射带宽的中心反