有源区材料的外延
发布时间:2016/8/2 19:38:49 访问次数:583
在对图3-4中的⒈(AlyGalo05In05P有源层材料进行外延工艺设计时,我们主要关心两个问题: AAT2554IRN-CAP-T1第一,降低外延材料中的非辐射复合中心密度以提高辐射复合效率;第二,生长的外延层不但与衬底晶格常数要匹配,还要满足辐射波长的要求。外延层中的非辐射复合中心杂质来源于原材料、载气、反应室壁以及衬底托盘中的寄生杂质,一方面通过原材料的纯化等措施可降低杂质的引入,另一方面在材料生长过程中可通过优化温度、Ⅴ/III比和生长速率等工艺参数来抑制这些杂质。通过PL、sIMS、TEM和XRD多种测试手段可对材料的性质进行表征。
在对图3-4中的⒈(AlyGalo05In05P有源层材料进行外延工艺设计时,我们主要关心两个问题: AAT2554IRN-CAP-T1第一,降低外延材料中的非辐射复合中心密度以提高辐射复合效率;第二,生长的外延层不但与衬底晶格常数要匹配,还要满足辐射波长的要求。外延层中的非辐射复合中心杂质来源于原材料、载气、反应室壁以及衬底托盘中的寄生杂质,一方面通过原材料的纯化等措施可降低杂质的引入,另一方面在材料生长过程中可通过优化温度、Ⅴ/III比和生长速率等工艺参数来抑制这些杂质。通过PL、sIMS、TEM和XRD多种测试手段可对材料的性质进行表征。
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公网安备44030402000607
