不同阱宽对载流子分布的影响
发布时间:2016/8/1 21:11:56 访问次数:731
多量子阱LED中,量子阱厚度是影响LED发光效率非常重要的因素之一。量子阱厚度较薄, L6506不但会增加外延生长的难度,降低材料质量,同时会减少量子阱中载流子浓度,不利于提高内量子效率。而量子阱厚度过厚,极化电场导致的电子空穴空间上的分离则变得更加严重(如图2-18所示),电子和空穴的波函数重叠积分减小,载流子复合效率明显降低。大量的实验结果证明,3nm左右的量子阱厚度具有较高的载流子复合效率。
多量子阱LED中,量子阱厚度是影响LED发光效率非常重要的因素之一。量子阱厚度较薄, L6506不但会增加外延生长的难度,降低材料质量,同时会减少量子阱中载流子浓度,不利于提高内量子效率。而量子阱厚度过厚,极化电场导致的电子空穴空间上的分离则变得更加严重(如图2-18所示),电子和空穴的波函数重叠积分减小,载流子复合效率明显降低。大量的实验结果证明,3nm左右的量子阱厚度具有较高的载流子复合效率。
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