(1)PN结短路。EsD引起PN结短路是常见的失效现象,它是放电电流流经PN结时产生的焦耳热使局部铝一硅熔融生成合金钉穿透PN结造成的。JC030A-26耐放电能量与接触孔大小、位置及结面积有关。反向放电时,电流集中在左边角处,功率密度较大,所以击穿耐量比正向时低。

   (2)连线和多晶硅的损伤。互连线通过电流的能力是截面积的函数。当有过电流应力存在时,也会过热而开路,这在厚度较薄的台阶处更易发生。在输入保护结构中有多晶硅电阻时,静电放电也会使多晶硅电阻烧坏,失效部位多发生在多晶硅条的拐角处或晶硅与铝的接触孔处,因为该接触孔处电流比较集中。互连线与多晶硅电阻、键合引线扩散区等之间因介质隔离(一般是so2层)击穿放电而造成短路。

   (3)栅氧穿通。若静电使氧化层中的场强超过其临界击穿场强,将使氧化层产生穿通。这在氧化层中有针孔缺陷时更易发生。一般输入端都接有保护结构,但由于保护电路对EsD有延迟作用,使保护二极管的雪崩击穿响应变慢。当EsD脉冲迅速上升时,EsD就直接施加到栅电极上引起栅穿,需要设计保护电阻,以控制二极管开关速度。EsD发生的部位多半是在器件的易受静电影响部分,如输入回路、输出回路、电场集中的边缘部分,以及结构上的薄弱处,如细丝、薄氧化层、浅结、热容量小的地方等。