(1)材料选型的静电等级要求

   研发及材料选型中,器件静电敏感度等级应控制在HBM C1aa1B(50O~1000V)及以上。D2817A-4不推荐选用静电敏感度HBM αass1A(250~500V)的静电敏感元器件。限制选用静电敏感度HBM C1ass OA(0~250V)的特静电敏感元器件。若经过评估,不得不选用Chss OA(0~250V)特敏感元器件,如微波器件、光器件,应由选型部门组织决策后,通过制定特殊防静电应对措施及管控方案,提高防静电管理要求。包括但不限于以下措施:建立专区或专线生产、提高环境相对湿度控制标准至40%以上、站立作业佩戴防静电手腕带、配置离子化静电消除设备(悬挂式多头离子风机)等,并曲各生产部门EsD接口人组织拟订相应的特殊作业指导文件。

   (2)产品的设计要求

   产品设计应实现防静电设计,以保证制造过程质量和产品可靠性,研发应提供相应的测试评估报告。

   参考GJB1649电子产品防静电放电控制大纲,单板组件、整机设备的抗静电能力(未做特殊说明,均指HBM模型):

   ● 单板组件抗静电能力大于⒛00V;

   ● 整机设备抗静电能力大于婀0OV;

   ● 参考YD/T11822.5GbsDWDM用特定波长光发射模块技术条件,光模块抗静电能力;

   ● 光模块抗静电能力大于500V。