在一定电场作用下，Si0。产生F-N隧穿电流，电子从阴极注入氧化层中，ACF321825-220-T注入电子在明极附近可产生新的陷阱或被陷阱所俘获，局部电荷的积累，使其与阳极间某些局部地区电场增强。由于Si0。中场强分布不是线性的，只要达到该处S102介质的击穿场强就发生局部介质击穿，进而扩展到整个Si0。层，这是电子负电荷积累模型。

   另一种看法认为：注入电子在Si0。中被俘获，或发生碰撞电离，产生电子一空穴对，也可能产生新的陷阱；空穴在向阴极漂移过程中被氧化层陷阱俘获，产生带正电的空穴积累。另外，电子注入在界面处使Si-0、Si-H键断裂产生正电荷的Q。因正电荷的

积累，增强了阴极附近某处的电场，它使隧穿电子流增大，导致空穴进一步积累。这样正电荷的积累和隧穿电子流的增加形成一个正反馈，最终引起Sioz的击穿，这就是正电荷积累模型。

   具体击穿过程一般认为是一个热、电过程。隧穿电流与阴极场强有关。这涉及Si-Si02（或Al- Si0：）界面不可能绝对平整，微观上可能存在一些突起，使局部电场增强，也可能氧化层中某处存在一些杂质或缺陷，使界面势垒高度降低，这都使该薄弱处首先产生隧道电子流。在外场作用下，电流呈丝状形式漂移穿过Si0：膜，这种丝状电流直径仅数纳米，电流密度很大，而Si0。的热导率裉低(300K时约为0.OIW／(cm．℃))，局部地区产生很大的焦耳热使温度升高，温升又促进F-N电流增加，这样相互促进的正反馈作用，最终形成局部高温，如不能及时控制电流的增长，可使铝膜、Si02膜和硅熔融，发生烧毁性击穿。