从1947年开始，半导体AD8000YRDZ产业就已经呈现出在新工艺和工艺提高上的持续发展。工艺的提高导致了具有更高集成度和可靠性的集成电路的产生，从而推动了电子工业的革命。这些工艺的改进归为两大类：工艺和结构。工艺的改进( improvement)是指以更小尺寸来制造器件和电路，并使之具有更高密度、更多数量和更高的可靠性。结构的改进是指新器件设计仁的发明使电路的性能更好，实现更佳的能耗控制和更高的可靠性。

   集成电路中器件的尺寸和数量是集成电路发展的两个共同标志。器件的尺寸是以设计中的最小尺寸来表示的，称为特征图形尺寸( feature size)，通常用微米（斗m）和纳米( nm)来表

不。l“m是111 000 000 m或约为人头发直径的1/100。Inm是111 000 000 000 m。半导体器件一个更专业的标志是栅条宽度( gate width)。晶体管由三部分构成，一部分足允许电流流过的通路。在当今的技术中，最流行的晶体管是金属氧化物一半导体场效应晶体管( MOS-FET)结构（见第16章），其控制部分被称为栅(gate)。通过生产更小和更快的晶体管及更高密度的电路，更小的栅条宽度推动着产业发展。目前，产业界正推向5 nm的栅条宽度，根据国际半导体技术路线图( ITRS)，在2016年左右将达到5 nm的尺寸4。